器件经由100% 雪崩测试，新洁T系 导通电阻典型值低至0.75mR,出增不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。小线宽妄想，强型超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，列产

新洁T系

产物特色

新洁T系

○ 高功电流密度

新洁T系

○ 超低导通阻抗

新洁T系

○ 高散热功能

新洁T系

○ 高坚贞性

新洁T系搭配优化后的出增大电流产物封装工艺，产物功能卓越，强型运用新洁能特有的列产沟槽型工艺平台，为市场提供经济高效的新洁T系产物处置妄想。

产物优势

接管超高元胞密度、出增以NCE011N30GU为例，强型具备较优的列产鲁棒性，

新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。新洁T系系列产物具备超高电流密度，出增